英诺赛科于2015年12月成立，是一家专业从事新型第三代半导体材料、器件以及集成电路开发与制造的高科技公司，在全球首次实现了8英寸硅基氮化镓材料与器件的大规模量产。现有员工1400多人，全球专利累计超过700项，在珠海设有研发中心及生产基地，在苏州设有管理中心及大规模生产基地，在深圳设有应用研发中心，在南京、上海、北京、台湾、日本、韩国、欧洲、美国等国家及地区设有办事机构或代表处。 英诺赛科掌握8英寸硅基氮化镓材料、器件及集成电路设计、制造全产业链核心技术，汇聚各国半导体产业精英人才，打造功率半导体国际一流品牌，并与多家国际技术研发机构开放合作，形成半导体产业跨国创新联盟。 英诺赛科采用IDM (Integrated Device Manufacturer) 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。产品涵盖高低压功率半导体器件、IC及功率模块，是目前全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。公司产品具有小尺寸、高性能、低成本、高可靠性等优势，全面助力新能源汽车、人工智能、光伏储能、无线充电与快充、数据中心等行业或应用领域的高效、节能、绿色发展。 2023年，英诺赛科以205亿元人民币的估值入选2022年胡润百富全球独角兽企业榜单，位列310位。