高k介质/金属栅极工艺研发专家 30-50k·16薪
合肥-高新区 8-10年 硕士 招1人 8月11日更新
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李女士 2天前在线 已认证
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职位介绍
1.高k介质/金属栅极工艺开发: 主导高k介质沉积与金属栅极堆叠工艺的研发,设计并优化薄膜工艺参数,达成目标电性能及界面质量; 2.材料评估与工艺窗口优化: 评估新型高k材料和金属栅极材料,使用DOE等方法优化工艺窗口,提升器件的驱动能力与可靠性; 3.工艺问题分析与闭环: 分析薄膜沉积过程中出现的厚度均匀性、界面缺陷或电阻率异常等问题,主导根因排查并闭环解决; 4.跨部门协同与工艺集成: 与器件、工艺整合及可靠性团队紧密协作,确保高k介质/金属栅极工艺与前后段工艺兼容,并满足电性和良率要求; 5.技术转移与量产导入: 主导高k介质/金属栅极工艺从研发向量产的平稳转移,制定工艺标准文件,减少新产品量产周期。 任职资格: 1.教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子、物理、材料或化学等相关专业,具备扎实的薄膜沉积与栅极工程理论功底; 2.专业技能与资格:能使用ALD、PVD、CVD等薄膜沉积设备完成工艺开发,能使用XPS、TEM、XRD等分析工具完成薄膜表征,具备流利的英语读写与报告撰写能力; 3.行业与专业经验:8年以上半导体薄膜工艺研发经验,其中至少4年高k介质或金属栅极工艺开发经验,熟悉栅极工艺对器件性能的影响机制,具备技术路线规划能力; 4.项目/任务成果:主导过至少3个高k介质/金属栅极工艺从研发到量产集成的项目,独立解决过栅极漏电、等效氧化层厚度控制或界面态密度优化等关键系统性难题; 5.其他要求:具有跨部门协作与技术把关能力,能在研发周期紧张的情况下主动推动问题解决并达成技术目标,能指导初级工程师并带动团队技术能力提升。
其他信息
语言要求:不限
行业要求:电子/半导体/集成电路

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更新时间:2026-08-14