III-V 族化合物半导体外延工艺设计 30-60k·16薪
苏州 3年以上 学历不限 招1人 8月14日更新
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周女士 13小时前在线 已认证
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职位介绍
岗位职责: 1. III-V 族化合物半导体外延生长 • 负责基于 InP(磷化铟) 衬底的光子器件外延材料生长,特别是针对DFB、SOA、EML和MZM 结构的外延工艺开发。 • 根据光芯片设计需求,制定外延生长方案,精确控制外延层的厚度、组分、掺杂浓度及界面质量。 2. 外延工艺优化与良率提升 • 负责 MOCVD(金属有机化学气相沉积)设备的日常维护与工艺调试。 • 通过调整生长温度、气流、压力等参数,解决外延生长中的缺陷控制、均匀性及重复性问题,提升外延片良率。 3. 材料表征与测试分析 • 熟练使用 XRD(X射线衍射)、PL(光致发光)、SEM(扫描电镜)等设备对外延材料进行表征。 • 分析测试数据,评估材料质量(如晶体质量、光学性能),并反馈至生长工艺进行迭代优化。 4. 跨部门协作与流片支持 • 与光芯片设计工程师紧密配合,将设计转化为可执行的外延生长程序。 • 协助工艺集成团队解决后续光刻、刻蚀等工序中遇到的材料相关问题,确保从外延到流片的全流程顺畅。 职位要求 任职要求: 专业技能 / Technical Qualifications • 核心经验:具备 3 年以上 InP 基光电子器件(如 DFB 激光器、EML、或调制器)的外延生长经验;熟悉 MOCVD 设备(如 Vecco、Aixtron 或国产设备)的操作与原理。 • 理论基础:深入理解半导体物理、晶体生长原理及能带工程理论。 • 设备能力:熟悉外延片的在线监控技术(如激光干涉仪)及原位监测手段。 • 问题解决:能够独立分析外延缺陷(如孪晶、滑移线、表面粗糙度)的成因并提出解决方案。 2. 软技能 / Soft Skills • 扎实的根因分析与工艺调试能力:具备严密的逻辑思维,能够通过表征数据(如XRD、PL)反向推导生长过程中的物理机制,精准定位晶体缺陷、组分偏差等复杂工艺问题的根源,并独立制定调试方案。 • 探索精神与技术攻坚主动性:对新材料体系(如高应变量子阱、超晶格)具有敏锐度,乐于钻研前沿外延技术,主动优化生长工艺以突破材料性能瓶颈。 • 高效的多任务统筹与交付能力:能够在紧张的设备机时与并行的研发项目中合理规划排程,确保外延片按时高质量产出,保障后道工艺(流片)的顺利进行。 • 规范的工程记录与知识沉淀习惯:具备严谨的科学素养,能够详尽、准确地记录每一次外延生长的参数细节与实验现象,形成标准化的工艺文档(SOP)与技术报告,确保工艺的可重复性与团队知识共享。
其他信息
语言要求:不限
行业要求:电子/半导体/集成电路,通信设备

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