SIC功率器件研发工程师 25-35k·14薪
苏州 3-5年 硕士 招1人 8月11日更新
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职位介绍
岗位职责: 1. 负责碳化硅(SiC)MOSFET、SBD等功率器件的研发工作,完成器件结构设计、工艺方案规划、TCAD仿真分析,针对性优化击穿电压、导通电阻、开关损耗、热稳定性等核心性能参数; 2. 主导器件流片全流程,对接晶圆厂推进工艺落地,跟进光刻、离子注入、薄膜沉积等关键工艺环节,解决研发及试产过程中的工艺异常与技术难题,推动产品迭代优化; 3. 负责器件动静态电学性能测试、可靠性验证及失效机理分析,依据AEC-Q101、AQG324等行业标准完善测试体系,输出完整的研发、测试及量产报告; 4. 开展竞品技术调研、结构对标及性能分析,挖掘技术创新点,参与专利申报、技术标准搭建,配合团队完成产品量产导入与技术迭代工作。 任职要求 1. 硕士及以上学历,微电子、半导体物理、电子科学与技术、电力电子等相关专业,扎实掌握半导体器件物理原理; 2. 2-5年SiC功率器件研发相关经验,熟悉SiC MOSFET/SBD器件结构与工艺流程,熟练使用TCAD仿真工具; 3. 精通功率器件电学测试、可靠性验证方法,具备流片跟进、工艺调试及问题复盘能力,有成功研发或量产项目经验者优先; 4. 具备良好的逻辑思维、问题攻坚能力和团队协作意识,责任心强,能独立推进研发项目落地,有车载半导体研发经验优先。
其他信息
语言要求:不限
行业要求:电子/半导体/集成电路

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更新时间:2026-08-15