【济南资深 MOS 芯片设计工程师招聘】-猎头顾问济南招聘信息-猎聘

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职位介绍: 岗位职责： 1、根据产品需求，负责抗辐照功率 MOS 芯片器件结构设计、仿真迭代、工艺流程制定、工艺参数确认及版图整体设计； 2、负责光刻版工艺制作、外协流片全过程技术对接、方案评审与问题跟进； 3、负责芯片测试、辐照试验验证、失效分析、参数衰减问题定位，完成设计迭代与性能优化； 4、负责搭建公司抗辐照功率 MOS研发能力，开发系列化抗辐照 MOS功率器件产品，完善器件设计 IP 与技术规范； 5、带领现有 MOS 设计团队，完成抗辐照新型功率器件结构的技术拓展与产品落地。岗位要求： 1、具备扎实的半导体功率器件物理基础，精通功率 MOS 器件基本原理、器件结构设计，熟练掌握抗辐照功率 MOS 芯片设计、辐照加固机理与设计技术，熟悉光刻版图全流程设计；（必要项） 2、熟练使用功率器件仿真软件 Sentaurus、MEDICI，熟练使用 L-edit 等光刻版图设计工具，能够独立完成器件仿真、结构迭代、版图布局设计；（必要项） 3、拥有5 年及以上功率 MOS 芯片设计经验，有抗辐照 MOS功率器件独立设计经验者优先；能独立完成元胞设计、终端结构设计、版图设计、流片分片方案制定，具备2 款及以上成功流片并量产落地经验；（必要项） 4、能够独立对接流片厂、制版厂，制定适配抗辐照工艺的工艺流程、工艺参数与版图规范，完成光刻版制作、外协流片全流程技术对接；（必要项） 5、熟悉不同耐压、电流等级功率 MOS 设计差异，精通高可靠、抗辐照、耐高低温、高成品率军工 / 工业级功率 MOS 设计方法，掌握单粒子、总剂量等辐照效应加固设计手段；（必要项） 6、能够根据芯片测试数据、辐照试验数据、解剖形貌等，定位器件失效、辐照参数衰减等问题根源，迭代优化器件结构与版图设计，确保产品满足抗辐照指标及量产要求；（必要项） 7、具备带领研发团队开展抗辐照功率 MOS、新型特种 MOS产品研发的能力，能够搭建抗辐照器件设计规范、沉淀可复用设计方法，指导团队成员技术成长。

其他信息: 语言要求：不限; 行业要求：电子/半导体/集成电路,通信设备,计算机硬件

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