碳化硅(SiC)研发/工艺工程师 35-45k
上海-闵行区 5-10年 本科 招1人 8月13日更新
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职位介绍
浙江省-嘉兴桐乡市 上海上海闵行区 这两个地点都可以 这个岗位偏前沿技术研究,核心是缺陷工程和晶圆研究,对计算和AI工具有要求。 目标公司是:国内做碳化硅衬底和外延的企业,包括天科合达、天岳先进、烁科晶体、三安集成、瀚天天成、东莞天域。要找的是这些公司研发部门里负责材料表征、缺陷分析、晶体生长机理研究的人。 关键词:用碳化硅研发、SiC研发、缺陷工程、晶圆研究、碳化硅单晶。简历里必须有“碳化硅”或“SiC”,否则不匹配。 另外要求“熟练使用各种计算及AI工具”,说明这个岗位不是纯实验型研发,而是需要会用模拟计算工具辅助研究,筛选时可以留意人选是否掌握TCAD、材料模拟软件等技能。 职责‌: 1、开展‌缺陷工程‌研究; 2、开展晶圆‌SiC研究工作 任职要求‌: 1、有3年以上SIC研究工作经验 2、熟练使用各种计算及AI工具 碳化硅(SiC)工艺工程师 这个岗位偏量产工艺落地,核心目标是提升6英寸/8英寸碳化硅工艺良率到85%以上,要懂缺陷分析(微管、BPD、多型体),能编写SOP并支持车规级AEC-Q101认证。 目标公司:天科合达、天岳先进、烁科晶体、三安集成、瀚天天成、东莞天域,但和研发岗不同,要找的是生产制造部门或工艺部门的工程师,不是做前沿研究的。另外北方华创、中微公司、芯三代这类做SiC外延设备的企业也很合适,他们的工艺工程师既懂设备又懂工艺。 关键词:用碳化硅工艺、SiC工艺、外延工艺、单晶工艺、良率提升、AEC-Q101。简历中必须出现XRD、Raman、PL、SEM这些表征手段关键词,否则说明不具备缺陷分析能力。 职责‌: 1、负责6英寸/8英寸碳化硅工艺优化; 2、分析微管、BPD、多型体等缺陷,制定改善方案,提升良率至85%以上; 3、协同设备团队完成热场校准、坩埚选型、气体纯度控制等关键参数验证; 编写SOP、工艺报告,支持车规级(AEC-Q101)认证流程。 任职要求‌: 1、3年以上碳化硅单晶或外延生长经验,熟悉相关工艺流程; 熟练使用XRD、Raman、PL、SEM等表征手段;
其他信息
语言要求:不限
行业要求:电子/半导体/集成电路,新材料

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