【上海 LMH Band PA 射频芯片设计（L -PAMID）招聘】-猎头顾问上海招聘信息-猎聘

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职位介绍: 岗位：LMH Band PA 射频芯片设计（5G PA / L -PAMID）工作地点：上海苏州无锡成都等地（提供完善的异地搬迁置业配套支持）职位类别：射频IC设计薪资待遇：行业竞争力现金包+股权（经理级现金80~100万起+股权另计配给长期期权；高级工程师现金60~80万+满一年后另配股权） 🎯 岗位定位（核心价值）本岗位依托公司自主建设的 6英寸化合物半导体（GaAs HBT/pHEMT）与 12英寸硅基有源（RF-SOI BCD SiGe CMOS）晶圆厂，以及晶圆级先进封测12寸Fab，推行设计与工艺深度协同（DTCO）模式。您将拥有跳出标准代工厂 PDK 限制的调试自由度。作为核心设计负责人，主导 5G 高功率、低噪声、多频段有源射频芯片与模组（L-PAMiD / L-PAMiF）在 MCM（多芯片模组）复杂封装下的系统级架构设计与闭环流片。 🚀 候选人核心收益（职业发展要点）掌握 DTCO 工艺级技术壁垒：直接与内部晶圆厂工艺研发（TD）团队合作，通过微调 GaAs 掺杂剖面、微调压电材料物理声学边界等底层物理调优，提升有源、无源、声学元器件的性能。这种工艺协同能力是构建个人技术护城河的稀缺资源。主导海量出货的商业流片：产品直接切入全球主流智能手机大厂（华为、小米、OPPO、VIVO、三星等）的核心供应链，技术成果将以数亿颗的量级迅速商用。拓宽“有源+无源+声学”SiP系统级视野：在 Sub-3GHz 射频模组（L-PAMiD）中，攻克 GaAs HBT 产生的热漂移对硅基 SOI 开关的恶化，解决极高集成度下的电磁兼容（EMC）与热管理，完成从单一模块设计师向系统模组专家的跨越。 📋 核心任务: # 有源芯片设计：主导 Sub-3GHz 频段 5G LMH Band PA 或高集成度模组中 PA、LNA、Switch、Controller 的电路拓扑设计。 # 多物理场协同优化：主导多芯片封装模组（MCM）内的电磁场联合仿真（3D EM Co-simulation）与热耗散路径设计，抑制寄生参数和温漂干扰。 # 工艺流片交付：主导流片后的实验室硬核调试、失效分析、大信号非线性指标（ACPR, EVM）整改，配合系统团队推动量产。 # 团队管理（仅限经理级）：负责 5-10 人有源研发小组的管理与技术评审。任职资格：教育背景：统招全日制硕士及以上学位，专业纯对口（微电子/集成电路设计/电子工程/电磁场与微波技术等）。工作资历：高级工程师：5-10 年射频 PA 设计经验经理级：8 年以上开发及 3 年以上管理经验项目实战：必须具备 5G LMH Band PA 或 5G L-PAMiD /L-PAMiF 模组的商业化大规模量产流片成功经历。

其他信息: 语言要求：不限; 行业要求：电子/半导体/集成电路

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